ChargePump Lab · MOS 工艺参数管理

新建 MOS 记录

倍率表采用归一化系数，参考工作点通常填 1。范围内线性插值，范围外按最近端点钳位。

工艺名称 *

MOS 类型 *

极性

耐压

参考 RSP *

mΩ·mm²

参考结温

°C

参考 Vgs

Qg·Ron

nC·mΩ

Qoss·Ron

nC·mΩ

温度 → RSP 倍率表

每行：结温 °C, kT。可留空，留空时 kT = 1。

Vgs → RSP 倍率表

每行：Vgs V, kVgs。可留空，留空时 kVgs = 1。

多温度 RSP–Vgs 曲线

适合数据手册只给 25°C、125°C 等多条 Ron/RSP–Vgs 曲线的情况。逐条从图片写入；效率页先沿 Vgs 插值，再在温度曲线之间插值，范围外钳位。

存在多温度 RSP–Vgs 曲线时优先使用二维插值；否则使用 RSPwork = RSPref × kT(Tj) × kVgs(Vgs)。Qg/Qoss 的 FOM 仍按参考 RSP 对应的 Ron 反算电荷。

数据来源